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霍爾遷移率測(cè)試儀在半導(dǎo)體材料的研究中的應(yīng)用
2024-11-04
2024-12-07
2024-11-15
2024-10-17
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是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備,具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命,并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值,可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測(cè)量,并能通過(guò)軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算
產(chǎn)品型號(hào):
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間:2026-02-07
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是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備,具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命,并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值,可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測(cè)量,并能通過(guò)軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。
簡(jiǎn)單介紹
測(cè)量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測(cè)量單晶和多晶硅(錠或塊)的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備,具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命,并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值,可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測(cè)量,并能通過(guò)軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。
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