SiC調(diào)研書(shū)啟動(dòng)調(diào)研??

九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司已參與《2025碳化硅襯底與外延產(chǎn)業(yè)調(diào)研書(shū)》的編寫(xiě)工作。為半導(dǎo)體事業(yè)貢獻(xiàn)力量！！！

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借耐高溫、耐高壓、高導(dǎo)熱等優(yōu)異物理特性，已成為新能源汽車(chē)、AI服務(wù)器、光伏儲(chǔ)能、5G通信等戰(zhàn)略領(lǐng)域的關(guān)鍵支撐材料。其熱導(dǎo)率高達(dá)490-500W/mK，是硅的3倍、陶瓷基板的2倍，寬禁帶特性使其在2000W高功率場(chǎng)景下仍能穩(wěn)定工作，成為破解"算力耗電困局。